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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1,4A; Idm: 8A; 50W


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIHFBC20L-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHFBC20L-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: TO262;I2PAK
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 1,4A
Widerstand im Leitungszustand: 4,4Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 50W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 18nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 8A
Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, mosfet 600v
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