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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; Idm: 12A; 42W; DPAK,TO252


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIHFR320-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHFR320-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK;TO252
Drain-Source Spannung: 400V
Drainstrom: 2A
Widerstand im Leitungszustand: 1,8Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 42W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 20nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 12A
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