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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; Idm: 199A; 357W; TO247AC


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIHG039N60E-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHG039N60E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: TO247AC
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 40A
Widerstand im Leitungszustand: 39mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 357W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 126nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 199A
Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet
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