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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A

Menge:

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Produktinformationen

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Artikel-Nr.:
8WUGW-SIR150DP-T1-RE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIR150DP-T1-RE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® SO8
Drain-Source Spannung: 45V
Drainstrom: 110A
Widerstand im Leitungszustand: 3,97mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 65,7W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 70nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Drainstrom im Impuls: 300A

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Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet 110a

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