Kategorien
Österreich
Deutsch
Konto
Anmelden / Registrieren		Warenkorb
 		 
 >  >  >  >  >  > Artikel

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIR804DP-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIR804DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® SO8
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 60A
Widerstand im Leitungszustand: 10,3mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 104W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 76nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 100A
Die Konditionen im Überblick1
Lieferzeit
Lagerstand
Preis
ab € 4 157,52*
  
Preis gilt ab 10 Packungen
1 Packung enthält 3 000 Stück (ab € 1,38584* pro Stück)
Konditionen selbst auswählen
Artikel empfehlenArtikel merken
Staffelpreise
Bestellmenge
Netto
Brutto
Einheit
1 Packung
€ 4 318,47*
€ 5 182,164
pro Packung
ab 2 Packungen
€ 4 285,95*
€ 5 143,14
pro Packung
ab 5 Packungen
€ 4 197,39*
€ 5 036,868
pro Packung
ab 10 Packungen
€ 4 157,52*
€ 4 989,024
pro Packung
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
UVP bedeutet „Unverbindliche Preisempfehlung“
Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.