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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 64,2A; Idm: 150A


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIRA74DP-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIRA74DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® SO8
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 64,2A
Widerstand im Leitungszustand: 6,1mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 29,6W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 41nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -16...20V
Drainstrom im Impuls: 150A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor
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