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Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SIZF916DT-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIZF916DT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 40/60A
Widerstand im Leitungszustand: 6,8/1,75mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2 + Schottky
Verlustleistung: 26,6/60W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 22/95nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Drainstrom im Impuls: 130...110A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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