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Transistor: IGBT; 1,2kV; 25A; 313W; TO247-3


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; 1,2kV; 25A; 313W; TO247-3
Transistor: IGBT; 1,2kV; 25A; 313W; TO247-3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-SKW25N120
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     SKW25N120
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 25A
Kollektorstrom im Impuls: 84A
Anschaltzeit: 85ns
Ausschaltzeit: 760ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 313W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Weitere Suchbegriffe: igbt
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