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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5,3A; Idm: 32A


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5,3A; Idm: 32A
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5,3A; Idm: 32A
Artikel-Nr.:
     8WUGW-SQ4940AEY-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQ4940AEY-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 5,3A
Widerstand im Leitungszustand: 29mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 1,3W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 43nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 32A
Die Konditionen im Überblick1
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