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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 58A; Idm: 230A; 48W


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SQJ868EP-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQJ868EP-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 58A
Widerstand im Leitungszustand: 15mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 48W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 55nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 230A
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