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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 60A; 25W; PowerPAK® 8x8L


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SQJQ900E-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQJQ900E-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: PowerPAK® 8x8L
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 60A
Widerstand im Leitungszustand: 3,9mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 25W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 85nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor
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