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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -79A; Idm: -227A


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SQS141ELNW-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQS141ELNW-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Drain-Source Spannung: -40V
Drainstrom: -79A
Widerstand im Leitungszustand: 19mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 119W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 141nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: -227A
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