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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: 24A; 2W; SOT23F


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-SSM3J355R
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     SSM3J355R,LF(T
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
toshiba mosfet
mosfet
Hersteller: TOSHIBA
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23F
Drain-Source Spannung: -20V
Drainstrom: -6A
Widerstand im Leitungszustand: 52,3mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±10V
Drainstrom im Impuls: 24A
Weitere Suchbegriffe: mosfet 20v
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