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Transistor: IGBT; 1,2kV; 8A; 167W; TO220AB


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-STGP8M120DF3
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGP8M120DF3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 8A
Kollektorstrom im Impuls: 32A
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 167W
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 32nC
Die Konditionen im Überblick1
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