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Transistor: IGBT; 600V; 20A; 167W; TO247-3


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STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 167 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Artikel-Nr.:
     8WUGW-STGW20H60DF
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGW20H60DF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 20A
Kollektorstrom im Impuls: 80A
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 167W
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 115nC
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