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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 160W; TO220-3

Artikel-Nr.:
8WUGW-STP11NM60

Hersteller:
ST Microelectronics

Herst.-Nr.:
STP11NM60

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor

Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 11A
Widerstand im Leitungszustand: 0,45Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 160W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 30nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 44A

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