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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 23A; Idm: 137A


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-STP50N60DM6
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STP50N60DM6
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 23A
Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 250W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 55nC
Technologie: MDmesh™ M6
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 137A
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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