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Transistor: P-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; -30V; -3,2A; 2,7W


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Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; -30V; -3,2A; 2,7W
Transistor: P-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; -30V; -3,2A; 2,7W
Artikel-Nr.:
     8WUGW-STS5P3LLH6
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STS5P3LLH6
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: -30V
Drainstrom: -3,2A
Widerstand im Leitungszustand: 56mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 2,7W
Polarisierung: unipolar
Technologie: STripFET™ H6
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: -20A
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