Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26,5A; 250W

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Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO247-4
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 26,5A
Widerstand im Leitungszustand: 56mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 250W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate;Kelvin Terminal
Technologie: MDmesh™ V
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V