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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 24A; Idm: 140A


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 24A; Idm: 140A
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 24A; Idm: 140A
Artikel-Nr.:
     8WUGW-STWA65N60DM6
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STWA65N60DM6
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 24A
Widerstand im Leitungszustand: 71mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 54nC
Technologie: MDmesh™ DM6
Kanal-Art: stark
Drainstrom im Impuls: 140A
Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet
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