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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-STWA75N65DM6
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STWA75N65DM6
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 47A
Widerstand im Leitungszustand: 36mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 480W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Ausführung: ESD
Gate-Ladung: 118nC
Technologie: MDmesh™ DM6
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 280A
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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