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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8,2A; Idm: -18A


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SUD08P06-155L-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SUD08P06-155L-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK;TO252
Drain-Source Spannung: -60V
Drainstrom: -8,2A
Widerstand im Leitungszustand: 0,35Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 20,8W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 19nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: -18A
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