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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8,8A; Idm: -15A; 32,1W

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Produktinformationen

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8,8A; Idm: -15A; 32,1W

Artikel-Nr.:
8WUGW-SUD09P10-195-GE3

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SUD09P10-195-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Diode
IGBT
MOSFET
MOSFET-Transistor

Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK;TO252
Drain-Source Spannung: -100V
Drainstrom: -8,8A
Widerstand im Leitungszustand: 0,195Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 32,1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 34,8nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: -15A

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Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, vishay diode, igbt

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