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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 150A; Idm: 300A


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SUM40012EL-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SUM40012EL-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: TO263
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 150A
Widerstand im Leitungszustand: 2,24mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 150W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 195nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 300A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor
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