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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-SUP70060E-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SUP70060E-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: VISHAY
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 131A
Widerstand im Leitungszustand: 6,4mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 200W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 81nC
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 240A
Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet
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