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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -0,115A; 0,14W


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Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -0,115A; 0,14W
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -0,115A; 0,14W
Artikel-Nr.:
     8WUGW-TP0610K-T1-GE3
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     TP0610K-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: -60V
Drainstrom: -0,115A
Widerstand im Leitungszustand:
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 0,14W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Ausführung: ESD
Gate-Ladung: 1,7nC
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: TrenchFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: -0,8A
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