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IC: driver; Brücke H,MOSFET Halbbrücke; SO8; 3A; Ch: 2; 8÷17VDC


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-UCC27200ADR
Hersteller:
     Texas Instruments
Herst.-Nr.:
     UCC27200ADR
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: TEXAS INSTRUMENTS
Montage: SMD
Betriebstemperatur: -40...140°C
Gehäuse: SO8
Versorgungsspannung: 8...17V DC
Ausgangsstrom: 3A
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
Impulsanstiegszeit: 600ns
Impulsabfallzeit: 600ns
Anzahl Kanäle: 2
Eigenschafte integrierter Schaltkreise: integrated bootstrap functionality;UVLO (UnderVoltage LockOut)
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side;MOSFET Torsteuerung
Topologie: Brücke H;MOSFET Halbbrücke
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