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| Artikel-Nr.:
C1002-8929600 Herst.-Nr.:
MZTL21T9HCJR-00A07 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Samsung PM9A3 MZTL21T9HCJR - SSD - verschlüsselt - 1.92 TB - intern - E1.S 9.5mm (E1.S 9.5mm) - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - 256-bit AES-XTS - TCG Opal Encryption 2.01 Weitere Informationen: Allgemein | Formfaktor | E1.S 9.5mm (E1.S 9.5mm) | | Breite | 33.75 mm | | Tiefe | 118.75 mm | | Höhe | 9.5 mm | | Gewicht | 80 g | | Gerätetyp | Solid State Drive - intern | | Kapazität | 1.92 TB | | Byte pro Sektor | 512 | | Merkmale | V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller | | Schnittstelle | PCIe 4.0 x4 (NVMe) | | NAND-Flash-Speichertyp | Multi-Level-Cell (MLC) | | Hardwareverschlüsselung | Ja | | Verschlüsselungsalgorithmus | 256-bit AES-XTS | Verschiedenes | Kennzeichnung | TUV, VCCI, BSMI, cUL, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, halogenfrei, RCM | Stromversorgung | Energieverbrauch | 10 Watt (Lesen) ¦ 12.5 Watt (Schreiben) ¦ 3.5 Watt (Leerlauf) | Umgebungsbedingungen | Min Betriebstemperatur | 0 °C | | Max. Betriebstemperatur | 70 °C | | Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb | 5 - 95 % (nicht kondensierend) | | Min. Lagertemperatur | -40 °C | | Max. Lagertemperatur | 85 °C | | Schocktoleranz (nicht in Betrieb) | 1500 g | | Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) | 20 g @ 10-2000 Hz | Leistung | Interner Datendurchsatz | 6800 MBps (lesen)/ 2700 MBps (Schreiben) | | 4 KB Random Read | 850000 IOPS | | 4 KB Random Write | 130000 IOPS | Zuverlässigkeit | Nicht-korrigierbare Datenfehler | 1 pro 10^17 | | MTBF | 2,000,000 Stunden | Erweiterung und Konnektivität | Schnittstellen | PCI Express 4.0 x4 (NVMe) | | Kompatibles Schaltfeld | E1.S 9.5mm (E1.S 9.5mm) |
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