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Infineon IRF7105 Transistor 60 V (3 Angebote)
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Infineon HEXFET IRFS4310ZTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 127 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 127 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 6 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-...
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Infineon HEXFET IRF7319TRPBF N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,9 A; 6,5 A 2 W, 8-Pin SOIC (1 Angebot) 
Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 4,9 A; 6,5 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 46 mΩ, 98 mΩ Channel-Modus = ...
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Infineon HEXFET IRF7389TRPBF N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A; 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC (1 Angebot) 
Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 5,3 A; 7,3 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 46 mΩ, 98 mΩ Channel-Modus = ...
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Infineon IRF7509 Transistor 25 V (5 Angebote)
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Infineon HEXFET IRF9952TRPBF N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,3 A; 3,5 A 2 W, 8-Pin SOIC (3 Angebote) 
Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 2,3 A; 3,5 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 150 mΩ, 400 mΩ Channel-Modus ...
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Infineon HEXFET IRFS4310ZTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 127 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (3 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 127 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 6 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-...
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Infineon AUIRL3705Z Transistor 55 V (1 Angebot)
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Infineon IRF100B202 Transistor 250 V (3 Angebote)
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Infineon HEXFET AUIRF540Z N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 36 A 92 W, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 36 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = HEXFET Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 26,5 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gat...
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Infineon HEXFET AUIRL3705Z N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 75 A, 86 A 130 W, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 75 A, 86 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Serie = HEXFET Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 8 mΩ Channel-Modus = Enhancement G...
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Infineon HEXFET IRF100B202 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 97 A 221 W, 3-Pin TO-220 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 97 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 8,6 mΩ Channel-Modus = Enhanceme...
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Infineon HEXFET IRF1010ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 94 A 140 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 94 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 7,5 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-...
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Infineon HEXFET IRF1010EZPBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 84 A 140 W, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 84 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 8,5 mΩ Channel-Modus = Enhancem...
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Infineon HEXFET AUIRLR2905Z N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 60 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 60 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 22,5 mΩ Channel-Modus = En...
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AUIRLR2905Z
ab € 109,61025*
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