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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 0.0078 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
Menge:
Stück
Produktinformationen
Artikel-Nr.:
1331-1775460
Hersteller:
Infineon
Herst.-Nr.:
BSC093N04LSGATMA1
EAN/GTIN:
k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung:
10 V
Drain-Source-Durchgangswiderstand:
0.0078 ohm
Produktpalette:
OptiMOS 3 Series
MSL:
-
Anzahl der Pins:
8 Pin(s)
Transistormontage:
Oberflächenmontage
Kanaltyp:
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id:
49 A
Betriebstemperatur, max.:
150 °C
Bauform - Transistor:
PG-TDSON
Drain-Source-Spannung Vds:
40 V
Verlustleistung:
35 W
Qualifikation:
-
Gate-Source-Schwellenspannung, max.:
1.2 V
SVHC:
No SVHC (23-Jan-2024)
RoHS konform: Ja
... >
Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden
>
FETs
>
Einfache MOSFET
Weitere Suchbegriffe:
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Transistor
,
mosfet infineon
,
smd transistor
,
Dioden
,
Einfache
,
FETs
,
Gleichrichter
,
Thyristoren
,
Transistoren
,
INFINEON
,
BSC093N04LSGATMA1
,
1775460
,
177-5460
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