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Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 40 V, 75 A, TO-220, IRF2804PB


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Produktinformationen:
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 40 V, 75 A, TO-220, IRF2804PB
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 40 V, 75 A, TO-220, IRF2804PB
Artikel-Nr.:
     4503-31S3070
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF2804PBF
EAN/GTIN:
     4099879033970
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
MOSFETs, IRF2804PBF, Infineon Technologies Der IRF2804PBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche erreicht. Der geringe Wärmewiderstand des TO-220 trägt zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Features * Fortschrittliche Prozesstechnologie * Extrem niedriger Einschaltwiderstand * Dynamischer dv/dt-Wert * Schnelles Umschalten * Lawine bewertet
Weitere Informationen:
Ausführung:
N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V:
2.3 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC):
160 nC
Gehäuse:
TO-220
max. Spannung:
40 V
max. Strom:
75 A
max. Temperatur:
175 °C
min. Temperatur:
-55 °C
Montage:
THT
Verlustleistung W (DC):
300 W
Ursprungsland:
PH
Gewicht:
0.002 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, feldeffekttransistor, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, FET
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