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| Artikel-Nr.:
822EL-2144462 Herst.-Nr.:
IRFS7434TRLPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 320 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0016 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HEXFET
Dieser Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET ist für eine größtmögliche Verfügbarkeit von Verteilungspartnern optimiert. Er verfügt über eine weichere Gehäusediode im Vergleich zur vorherigen SiliziumgenerationEr kann wellengelötet werden Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 320 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0016 O | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.9V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet d2pak, 2144462, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFS7434TRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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