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Infineon HEXFET IRF8734TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 21 A, 8-Pin SO-8


Menge:  Packungen  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-2152587
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF8734TRPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 21 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0035 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.35V
Transistor-Werkstoff = Si

Die Infineon HEXFET Power MOSFET-Serie hat eine maximale 30-V-Drain-Quellspannung in einem SO-8-Gehäuse. Es hat Anwendung als synchroner MOSFET für Notebook-Prozessor-Leistungs- und Synchrongleichrichter-MOSFET für isolierte DC/DC-Wandler in Netzwerksystemen.Niedrige Gateladung Lawinenspannung und -strom umfassend beschrieben 100 % geprüft für RG Bleifrei
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
21 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Serie:
HEXFET
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0035 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.35V
Transistor-Werkstoff:
Si
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, smd transistor, 2152587, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF8734TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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