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Infineon HEXFET IRFR3410TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 31 A, 3-Pin DPAK (TO-252)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-2183105
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFR3410TRLPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 31 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 31 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HEXFET

Der Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie mit einem N-Kanal, integriert in das Gehäuse des Typs DPAK (TO-252). Dieser MOSFET wird hauptsächlich in Hochfrequenz-DC/DC-Wandlern verwendet.RoHS-kompatibel Betriebstemperatur von 175 °C Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
31 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
DPAK (TO-252)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
31 O
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
HEXFET
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 2183105, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFR3410TRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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