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| Artikel-Nr.:
822EL-2183118 Herst.-Nr.:
IRFS3307ZTRRPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 128 A
Drain-Source-Spannung max. = 75 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0058 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = HEXFET
Der Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie mit einem N-Kanal, integriert in das Gehäuse des Typs D2PAK (TO-263).Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 128 A | Drain-Source-Spannung max.: | 75 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0058 O | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet d2pak, 2183118, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFS3307ZTRRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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