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| Artikel-Nr.: 822EL-2183120 Herst.-Nr.: IRFS52N15DTRLP EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 51 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,032 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 5V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 51 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Serie: | HEXFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,032 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet d2pak, 2183120, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFS52N15DTRLP, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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