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Infineon HEXFET IRFB3006PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 A, 3-Pin TO-220


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     822EL-2605862
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFB3006PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 270 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Channel-Modus = Enhancement
Transistor-Werkstoff = Silicon
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
270 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Serie:
HEXFET
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Channel-Modus:
Enhancement
Transistor-Werkstoff:
Silicon
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 2605862, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFB3006PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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