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| Artikel-Nr.:
822EL-2626763 Herst.-Nr.:
IRFL024NTRPBF EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Channel-Modus = Enhancement
Transistor-Werkstoff = Silicon Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Serie: | HEXFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Channel-Modus: | Enhancement | Transistor-Werkstoff: | Silicon |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 2626763, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFL024NTRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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