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Infineon HEXFET IRF1404PBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin TO-220AB


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Infineon HEXFET IRF1404PBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin TO-220AB
Infineon HEXFET IRF1404PBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin TO-220AB
Artikel-Nr.:
     822EL-5431083
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF1404PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 202 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 333 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 131 nC @ 10 V
Serie = HEXFET

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
202 A
Drain-Source-Spannung max.:
40 V
Gehäusegröße:
TO-220AB
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
4 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
333 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
131 nC @ 10 V
Serie:
HEXFET
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, leistungs-mosfet, mosfet to-220ab, 5431083, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF1404PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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