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Diode: Zener; 0,5W; 6,8V; 5mA; DO35; einzelne Diode; Ir: 100nA


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Produktinformationen
Diode: Zener; 0,5W; 6,8V; 5mA; DO35; einzelne Diode; Ir: 100nA
Diode: Zener; 0,5W; 6,8V; 5mA; DO35; einzelne Diode; Ir: 100nA
Artikel-Nr.:
     8WUGW-BZX55B6V8-A0G
Hersteller:
     Taiwan Semiconductor
Herst.-Nr.:
     BZX55B6V8 A0G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
IR Emitter
IR-Led
Infrarot-Diode
Hersteller: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: DO35
Toleranz: ±2%
Struktur des Halbleiters: einzelne Diode
Z-Spannung: 6,8V
Zenerstrom: 5mA
Leck strom: 0,1µA
Verlustleistung: 0,5W
Einheitspreis: Nein
Dioden-Typ: Zener
Weitere Suchbegriffe: Z-Diode, Zenerdiode, ir emitter
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