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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4,3A; 160W; TO220-3; ESD (3 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 1kV Drainstrom: 4,3A Widerstand im Leitungszustand: 1,85Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 160W Polarisi...
ST Microelectronics
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 136W; DPAK,TO252 (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 50A Widerstand im Leitungszustand: 3,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 136W Polarisierung: uni...
Vishay
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Transformator: Impuls; Netzteil; 136W; 178,75uH (1 Angebot) 
Hersteller: FERYSTER Leistung: 136W Transformator-Typ: Impuls Anwendung: Netzteil Induktivität: 178,75µH Passendes Zubehör: TOP250YN #Werbeaktionen: maintenance_202308
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23,8A; 176W; PG-TO220-3 (2 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: PG-TO220-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 23,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 176W ...
Infineon
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Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Kollektor-Emitter-Strom: 40A Transistor-Typ: IGBT Verlustleistung: 160W Verpackungs-Art: Rolle Einheit...
Infineon
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO220-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: PG-TO220-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 164W Pol...
Infineon
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 156W; PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: PG-TO247-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 0,129Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 156W P...
Infineon
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