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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 59ns Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 18mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 176W...
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Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 28A Kollektorstrom im Impuls: 60A Anschaltzeit:...
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8,8A; 160W; TO220-3; ESD (1 Angebot) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 8,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,34Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 160W Polaris...
ST Microelectronics
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Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Kollektor-Emitter-Spannung: 600V Kollektor-Emitter-Strom: 40A Transistor-Typ: IGBT Verlustleistung: 160W Verpackungs-Art: Rolle Einheit...
Infineon
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Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 22A; 165W; TO220-3 (2 Angebote) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 22A Kollektorstrom im Impuls: 45A Anschaltzeit: 110ns Ausscha...
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 156W; PG-TO247-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: PG-TO247-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 0,129Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 156W P...
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Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 10A; 160W; TO220-3 (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Kollektor-Emitter-Spannung: 650V Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 10A Kollektorstrom im Impuls: 54A Anschaltzeit: 44ns Ausschalt...
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23,8A; 176W; PG-TO247-3 (3 Angebote) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: PG-TO247-3 Drain-Source Spannung: 600V Drainstrom: 23,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 176W ...
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