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Infineon BSS169I BSS169IXTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 190 mA, 3-Pin SOT-23 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 190 mA Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = BSS169I Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Depletion Gate-Schwellenspannung max. = 1.8V Anzahl...
Infineon
BSS169IXTSA1
ab € 0,134*
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Infineon BSC430N25NSFDATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 250 V / 36 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 36 A Drain-Source-Spannung max. = 250 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
BSC430N25NSFDATMA1
ab € 3,44*
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INFINEON IKD10N60RFATMA1 IGBT, 600V, 20A, 150W, TO-252 (2 Angebote) 
Produktpalette: TRENCHSTOP MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2 V Kontinuier...
Infineon
IKD10N60RFATMA1
ab € 0,56805*
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IC: driver; MOSFET Halbbrücke; SO8; -600÷290mA; 625mW; Ch: 2; 600V (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Betriebstemperatur: -40...125°C Gehäuse: SO8 Leistung: 625mW Versorgungsspannung: 10...20V DC Anschaltzeit: 230ns Ausschaltzeit: 185ns Ausgangsstrom: ...
Infineon
IRS2101SPBF
ab € 1,15*
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Infineon BSG0810NDIATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 50 A, 8-Pin TISON-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 50 A Drain-Source-Spannung max. = 25 V Gehäusegröße = TISON-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Infineon
BSG0810NDIATMA1
ab € 5 454,65*
pro 5 000 Stück
 
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Infineon IPB120P04P4-04 Transistor 650 V (2 Angebote)
Infineon
IPB120P04P404ATMA2
ab € 1,64*
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Infineon BSZ011NE2LS5IATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 202 A, 8-Pin TDSON-8 FL (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 202 A Drain-Source-Spannung max. = 25 V Gehäusegröße = TDSON-8 FL Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1
ab € 4 939,30*
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INFINEON IKFW40N60DH3EXKSA1 IGBT, 600V, 34A, 175°C, 111W (3 Angebote) 
Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Bauform - Transistor: TO-247 Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3 V Kontinuierlicher Kollekt...
Infineon
IKFW40N60DH3EXKSA1
ab € 2,34*
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IC: power switch; high-side; 1,3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: SO8 Versorgungsspannung: 6...52V DC Widerstand im Leitungszustand: 0,15Ω Ausgangsstrom: 1,3A Integrierten Schaltkreises-Typ: power switch Anz...
Infineon
ISP752R
ab € 1,23*
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Infineon BSZ010NE2LS5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 212 A, 8-Pin TDSON-8 FL (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 212 A Drain-Source-Spannung max. = 25 V Gehäusegröße = TDSON-8 FL Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
BSZ010NE2LS5ATMA1
ab € 1,37*
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Infineon IPB156N22NFD Transistor 220 V (2 Angebote)
Infineon
IPB156N22NFDATMA1
ab € 3,57*
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Infineon BSL606SNH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4,5 A, 6-Pin TSOP (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4,5 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TSOP Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
BSL606SNH6327XTSA1
ab € 0,18*
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INFINEON IKFW50N60DH3XKSA1 IGBT, 600V, 53A, 175°C, 145W (1 Angebot) 
Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Bauform - Transistor: TO-247 Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85 V Kontinuierlicher Kollek...
Infineon
IKFW50N60DH3XKSA1
ab € 3,61*
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Infineon BSO080P03S H Transistor 30 V (3 Angebote)
Infineon
BSO080P03SHXUMA1
ab € 0,68027*
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Infineon IPB45N06S4L-08 Transistor 60 V (2 Angebote)
Infineon
IPB45N06S4L08ATMA3
ab € 0,63*
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