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  infineon  (13 590 Angebote unter 17 194 206 Artikeln)

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Infineon IRFI530N Transistor 30 V (3 Angebote)
Infineon
IRFI530NPBF
ab € 0,48*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor,gemeinsamer Emitter; IGBT x2 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM-1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Str...
Infineon
FF300R12KT3EHOSA1
ab € 154,47*
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Infineon BSO301SP H Transistor 30 V (1 Angebot)
Infineon
BSO301SPHXUMA1
ab € 2 126,80*
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Infineon BSC670N25NSFDATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 24 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 24 A Drain-Source-Spannung max. = 250 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 67 mO Gate-Schwellenspan...
Infineon
BSC670N25NSFDATMA1
ab € 2,08*
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Modul: Thyristor; doppelte serielle; 1,2kV; 251A; BG-PB50-1 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: BG-PB50-1 Rückspannung max.: 1,2kV Vorwärtsspannung max.: 1,4V Vorwärtsstrom: 251A Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Gatestrom: 300mA Strom im m...
Infineon
TT251N12KOFHPSA1
ab € 174,81*
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Infineon BSC430N25NSFD Transistor 250 V (1 Angebot)
Infineon
BSC430N25NSFDATMA1
ab € 10 180,85*
pro 5 000 Stück
 
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Infineon TT250N18KOF (2 Angebote)
Infineon
TT250N18KOFHPSA1
ab € 151,26*
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Infineon BSC0906NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 63 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 63 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8
Infineon
BSC0906NSATMA1
ab € 0,28*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 20A (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-EASY750-1 Rückspannung max.: 0,6kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 20A Kollektor...
Infineon
FS20R06VE3
ab € 21,61*
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Modul: Diodenl; einzelne Diode; 1,8kV; If: 600A; BG-PB501-1 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: BG-PB501-1 Rückspannung max.: 1,8kV Vorwärtsspannung max.: 0,75V Vorwärtsstrom: 600A Struktur des Halbleiters: einzelne Diode Strom im max. Impuls: 22kA E...
Infineon
DZ600N18K
ab € 172,20*
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Infineon BSL606SNH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4.5 A, 6-Pin TSOP (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4.5 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TSOP Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
BSL606SNH6327XTSA1
ab € 0,23*
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Modul: Thyristor; doppelte serielle; 1,4kV; 104A; BG-PB20-1 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: BG-PB20-1 Rückspannung max.: 1,4kV Vorwärtsspannung max.: 1,62V Vorwärtsstrom: 104A Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Gatestrom: 120mA Strom im ...
Infineon
TT104N14KOF
ab € 143,85*
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Infineon BSC670N25NSFD Transistor 100 V (1 Angebot)
Infineon
BSC670N25NSFDATMA1
ab € 7 070,00*
pro 5 000 Stück
 
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INFINEON IRLL024ZTRPBF MOSFET, N-KANAL, 55V, 5A, SOT-223 (3 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048 ohm Produktpalette: HEXFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 4 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Ka...
Infineon
IRLL024ZTRPBF
ab € 0,24*
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Infineon BSC0921NDIATMA1 Dual N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 17 A PG-TISON-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = Dual N Dauer-Drainstrom max. = 17 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = PG-TISON-8 Montage-Typ = SMD
Infineon
BSC0921NDIATMA1
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