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  infineon  (13 590 Angebote unter 17 194 206 Artikeln)

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Infineon TT250N16KOF (3 Angebote)
Infineon
TT250N16KOFHPSA1
ab € 120,43*
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Infineon BSP135I BSP135IXTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 120 mA, 4-Pin SOT-223 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 120 mA Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Channel-Modus = Depletion Gate-Schwellenspannung max. = 1V A...
Infineon
BSP135IXTSA1
ab € 323,08*
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Infineon TZ400N26KOF (1 Angebot)
Infineon
TZ400N26KOFHPSA1
ab € 216,73*
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Infineon BSC155N06NDATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 42 A, 8-Pin TDSON (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 42 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = TDSON Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Channel-Modus = Enhancement Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
BSC155N06NDATMA1
ab € 0,60*
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INFINEON IRFR3806TRPBF MOSFET, N-KANAL, 60V, 43A, TO-252AA (4 Angebote) 
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126 ohm Produktpalette: HEXFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-K...
Infineon
IRFR3806TRPBF
ab € 0,39*
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Modul: Thyristor; doppelte serielle; 1,8kV; 190A; BG-PB34SB-1 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: BG-PB34SB-1 Rückspannung max.: 1,8kV Vorwärtsspannung max.: 1,52V Vorwärtsstrom: 190A Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Gatestrom: 145mA Strom i...
Infineon
TT190N18SOF
ab € 32,38*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor,gemeinsamer Emitter; IGBT x2 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM-1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor;gemeinsamer Emitter Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Str...
Infineon
FF200R12KT3EHOSA1
ab € 96,16*
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Infineon BSS127I BSS127IXTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 21 mA, 3-Pin SOT-23 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 21 mA Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Depletion Gate-Schwellenspannung max. = 2.6V A...
Infineon
BSS127IXTSA1
ab € 0,0614*
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Modul: Thyristor; doppelte serielle; 1,6kV; 330A; BG-PB50AT-1 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: BG-PB50AT-1 Rückspannung max.: 1,6kV Vorwärtsspannung max.: 1,28V Vorwärtsstrom: 330A Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Gatestrom: 200mA Strom i...
Infineon
TT330N16KOF
ab € 183,62*
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Infineon IRLR9343 Transistor 55 V (3 Angebote)
Infineon
IRLR9343TRPBF
ab € 0,505*
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Infineon BSG0810NDIATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 50 A, 8-Pin TISON-8 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 50 A Drain-Source-Spannung max. = 25 V Gehäusegröße = TISON-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Infineon
BSG0810NDIATMA1
ab € 1,79*
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Infineon IRFR825 Transistor 30 V (3 Angebote)
Infineon
IRFR825TRPBF
ab € 0,59*
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Infineon TT425N18KOF (1 Angebot)
Infineon
TT425N18KOFHPSA2
ab € 197,18*
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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Gehäuse: AG-62MM-1 Rückspannung max.: 1,2kV Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor Gate - Emitter Spannung: ±20V Kollektor-Emitter-Strom: 200A Kollektorst...
Infineon
FF200R12KE4PHOSA1
ab € 93,68*
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Infineon BSS139I BSS139IXTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 100 mA, 3-Pin SOT-23 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 mA Drain-Source-Spannung max. = 250 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Channel-Modus = Depletion Gate-Schwellenspannung max. = 1V An...
Infineon
BSS139IXTSA1
ab € 0,102*
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