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Infineon CoolMOS IPD80R2K8CEATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 1,9 A, 3-Pin TO-252 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1,9 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = TO-252 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 2,8 Ω Channel-Modus = Enhancemen...
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Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 120 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,002 Ω Channel-Modus = Enhancem...
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Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 90 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = TO-252 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0053 Ω Channel-Modus = Enhancem...
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MSL: - Betriebstemperatur, max.: 175 °C Hall-Effekt-Typ: Differenzieller Geschwindigkeits- und Richtungssensor Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Bet...
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Dauer-Kollektorstrom max. = 25 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 231 W Gehäusegröße = TO-247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Die Infineon-IG...
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Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 44 A Drain-Source-Spannung max. = 300 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,041 Ω Channel-Modus = Enhancem...
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