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Infineon IPD90R1K2C3 Transistor 650 V (1 Angebot)
Infineon
IPD90R1K2C3ATMA1
ab € 1,11*
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Infineon HEXFET AUIRL7736M2TR N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 112 A DirectFET ISOMETRISCH (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 112 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Drain-Source-Widerstand max. = 0,003 O Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspa...
Infineon
AUIRL7736M2TR
ab € 2,03*
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Infineon HEXFET IRF40R207 N-Kanal, THT MOSFET 2,2 V / 90 A DPAK (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 90 A Drain-Source-Spannung max. = 2,2 V Gehäusegröße = DPAK Montage-Typ = THT
Infineon
IRF40R207
ab € 0,29*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 75V Drainstrom: 120A Widerstand im Leitungszustand: 4,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 300W Polar...
Infineon
IRFB3207ZGPBF
ab € 2,24*
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Infineon HEXFET AUIRFS3107TRL N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 260 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 260 A Drain-Source-Spannung max. = 75 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
AUIRFS3107TRL
ab € 4,36*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 9,5A; 208W; PG-TO220-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: THT Gehäuse: PG-TO220-3 Drain-Source Spannung: 900V Drainstrom: 9,5A Widerstand im Leitungszustand: 0,34Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 208W P...
Infineon
IPP90R340C3XKSA1
ab € 2,79*
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Infineon HEXFET AUIRLR3410TRL N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 17 A, 3-Pin DPAK (TO-252) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 17 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
AUIRLR3410TRL
ab € 1,40*
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Infineon IPW80R280P7 Transistor 800 V (2 Angebote)
Infineon
IPW80R280P7XKSA1
ab € 1,56*
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Infineon HEXFET AUIRFS4115-7TRL N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 105 A, 7-Pin D2PAK-7 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 105 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 7 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0118 O Channel-Modus = Enhancement G...
Infineon
AUIRFS4115-7TRL
ab € 4,86*
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Infineon IRF540NL Transistor 30 V (1 Angebot)
Infineon
IRF540NLPBF
ab € 34,48*
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Infineon HEXFET IRF6215PBF P-Kanal, THT MOSFET 150 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-220AB (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 13 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Serie = HEXFET Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 290 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate...
Infineon
IRF6215PBF
ab € 0,94*
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Infineon HEXFET AUIRFS4310ZTRL N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 127 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 127 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
AUIRFS4310ZTRL
ab € 4,47*
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Infineon HEXFET IRF5802TRPBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 900 mA TSOP-6 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 900 mA Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = TSOP-6 Montage-Typ = THT
Infineon
IRF5802TRPBF
ab € 0,143*
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Infineon HEXFET IRF6636TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 81 A DirectFET ISOMETRISCH (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 81 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Drain-Source-Widerstand max. = 0,0064 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspa...
Infineon
IRF6636TRPBF
ab € 1,06*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES Montage: SMD Gehäuse: PG-TO263-3 Drain-Source Spannung: 800V Drainstrom: 17A Widerstand im Leitungszustand: 0,29Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 227W Po...
Infineon
SPB17N80C3
ab € 3,39*
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