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"MOSFET"

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 11A; 15,6W; DFN3.3x3.3 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DFN3.3x3.3 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 11A Widerstand im Leitungszustand: 54mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 15...
Alpha & Omega Semiconductor
AON7254
ab € 0,33*
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 Stück
Infineon IPB040N08NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 80 V / 107 A PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 107 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PG-TO263-3 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPB040N08NF2SATMA1
ab € 1,81*
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Infineon IMW1 IMW120R350M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 4,7 A, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4,7 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Serie = IMW1 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 350 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate...
Infineon
IMW120R350M1HXKSA1
ab € 2,83*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13,5A; 83W; TO252 (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 13,5A Widerstand im Leitungszustand: 85mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 83W P...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD256
ab € 0,55*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO263; 85ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 85ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 13mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 480W ...
IXYS
IXFA110N15T2
ab € 3,31*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 70A; Idm: 280A; 405W (1 Angebot) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: THT Gehäuse: TO220AB;SOT78 Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 70A Widerstand im Leitungszustand: 16,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 405W Polarisieru...
Nexperia
PSMN6R3-120PS
ab € 2,50*
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Infineon IPB043N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 135 A PG-TO263-3 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 135 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = PG-TO263-3 Montage-Typ = SMD
Infineon
IPB043N10NF2SATMA1
ab € 1,21*
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Infineon IMW120R030M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 56 A, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 56 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IMW120R030M1HXKSA1
ab € 11,92*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 93ns Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 130A Widerstand im Leitungszustand: 8,5mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 40...
IXYS
IXTP130N15X4
ab € 3,70*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO263; 90ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: TO263 Bereitschaftszeit: 90ns Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 80A Widerstand im Leitungszustand: 17mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 325W P...
IXYS
IXTA80N12T2
ab € 1,78*
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Infineon IPB048N15N5LFATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 120 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 120 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IPB048N15N5LFATMA1
ab € 6,66*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO220AB; 65ns (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: TO220AB Bereitschaftszeit: 65ns Drain-Source Spannung: 120V Drainstrom: 140A Widerstand im Leitungszustand: 10mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 577...
IXYS
IXTP140N12T2
ab € 3,11*
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Infineon IMW120R090M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 26 A, 3-Pin TO-247 (1 Angebot) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 26 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Infineon
IMW120R090M1HXKSA1
ab € 6,15*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 15A; Idm: 25A; 62W; DPAK,TO252 (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 150V Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 0,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62W Polarisierung: uni...
Vishay
SUD15N15-95-E3
ab € 0,87*
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 130V; 1A; Idm: 3,3A; 1,26W; SOT23 (1 Angebot) 
Hersteller: DIODES INCORPORATED Montage: SMD Gehäuse: SOT23 Drain-Source Spannung: 130V Drainstrom: 1A Widerstand im Leitungszustand: 0,85Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 1,26W Polarisie...
Diodes
DMN13H750S-7
ab € 0,17*
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