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Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 2,86mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 36W P...
Vishay
SISS64DN-T1-GE3
ab € 0,48433*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 64,2A; Idm: 150A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 64,2A Widerstand im Leitungszustand: 6,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 29,6W Polarisierun...
Vishay
SIRA74DP-T1-GE3
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 29,2A; Idm: 60A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 29,2A Widerstand im Leitungszustand: 32mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 33,3W Polarisier...
Vishay
SIS468DN-T1-GE3
ab € 0,41449*
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Thyristor: sidak; 1A; DO214AA,SMB; 210÷230V; SMD; Rolle,Band (1 Angebot) 
Hersteller: LITTELFUSE Montage: SMD Gehäuse: DO214AA;SMB Vorwärtsstrom max.: 1A Struktur des Halbleiters: Unidirektional Verpackungs-Art: Band;Rolle Einheitspreis: Nein Herstellerserie: K2xx0yHU Sc...
Littelfuse
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ab € 0,74*
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Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A (1 Angebot) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® SO8 Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 60A Widerstand im Leitungszustand: 1,54mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET + Schottky Verlustleistung: 34,7W Po...
Vishay
SIRC18DP-T1-GE3
ab € 0,69*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 86,8A; Idm: 150A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 86,8A Widerstand im Leitungszustand: 3,95mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W Polarisier...
Vishay
SISS10ADN-T1-GE3
ab € 0,33*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 40A; Idm: 60A; 136W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: TO252 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 40A Widerstand im Leitungszustand: 37mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 136W Polarisierung: unipolar ...
Vishay
SUD40N08-16-E3
ab € 1,1843*
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Thyristor: sidak; 1A; DO214AA,SMB; 230÷250V; SMD; Rolle,Band (1 Angebot) 
Hersteller: LITTELFUSE Montage: SMD Gehäuse: DO214AA;SMB Vorwärtsstrom max.: 1A Struktur des Halbleiters: Unidirektional Verpackungs-Art: Band;Rolle Einheitspreis: Nein Herstellerserie: K2xx0yHU Sc...
Littelfuse
K2400SHURP
ab € 0,74*
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100%
Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 75/141A Widerstand im Leitungszustand: 7/2,57mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 + Schottky Verlustleistung: 48/74W Polarisierung: ...
Vishay
SIZF300DT-T1-GE3
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 45V Drainstrom: 110A Widerstand im Leitungszustand: 4,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65,7W Polarisierung: unipolar Verpackungs-...
Vishay
SIJ150DP-T1-GE3
ab € 0,43195*
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 44A; Idm: 120A; 36W (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 44A Widerstand im Leitungszustand: 12,2mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 36W Polarisierun...
Vishay
SISS30LDN-T1-GE3
ab € 0,43*
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Transistor: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Drain-Source Spannung: 30V Drainstrom: 20/60A Widerstand im Leitungszustand: 10/3,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 + Schottky Verlustleistung: 20,2/32,9W Polarisierun...
Vishay
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ab € 0,58648*
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100%
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 86A; Idm: 300A; 42W (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 45V Drainstrom: 86A Widerstand im Leitungszustand: 4,1mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisierung...
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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 50,3A; Idm: 150A (2 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: PowerPAK® 1212-8 Drain-Source Spannung: 80V Drainstrom: 50,3A Widerstand im Leitungszustand: 8,7mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisieru...
Vishay
SISS32DN-T1-GE3
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Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A (3 Angebote) 
Hersteller: NEXPERIA Montage: SMD Gehäuse: SOT1205;LFPAK56D Drain-Source Spannung: 40V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 32,8mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 46W Polaris...
Nexperia
PSMN013-40VLDX
ab € 0,49*
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