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Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm (2 Angebote) 
Produktpalette: DTC123E Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wand...
ROHM Semiconductor
DTC123EKAT146
ab € 0,02728*
pro Stück
 
 Packungen
Analogsignal-Trennwandler, 2x Strom / Transistor, Schraubklemme (7 Angebote) 
Bezeichnung=Analogsignal-Trennwandler, Typ=1453210000, Alternative (Alias)=ACT20P-UI-AO-DO-LP-S, Ansprechdauer=450 ms, Anzahl Ausgangskanäle=2, Betriebsspannung max. – AC=-888, Betriebsspannung max...
Weidmüller
1453210000
ab € 224,45*
pro Stück
 
 Stück
Fairchild IGBT / 21 A ±14V max., 450 V 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...
Fairchild
ISL9V3040S3ST
ab € 7,28*
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 Packung
Chopper IGBT Switch, 1200 V, 175 A, V1-A-Pack, Littelfuse MIXA150R1200VA (1 Angebot) 
IGBT Modul, MIXA150R1200VA, LITTELFUSE Der XPT-IGBT lässt sich aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Einschaltspannung leicht parallelisieren. Er verfügt über ein robustes XPT-Design (...
Littelfuse
MIXA150R1200VA
ab € 28,85*
pro Stück
 
 Stück
MULTICOMP PRO 2N5884.. BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3, Tra (1 Angebot) 
Wandlerpolarität: PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 V MSL: - Bauform - Transistor: TO-3 Verlustleistung: 200 W Produktpalette: - Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Qualifikation: - Übergangsfrequenz:...
Multicomp
2N5884..
ab € 2,84*
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 Stück
Bipolarer HF-Transistor, NPN, PNP, 45 V, 380 mW, 100 mA, SOT-363 (3 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN, PNP Übergangsfrequenz: 100 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 ...
onsemi
BC847BPDW1T1G.
ab € 0,0304*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, 1.2kV, 100A, SOT-227B (3 Angebote) 
Bezeichnung=IGBT, Typ=IXA70I1200NA, Betriebstemperatur, max.=125 °C, Betriebstemperatur, min.=-40 °C, Emitter-Leckstrom=500 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=1.2 kV, Kollektor-Emitter-Sättigung...
IXYS
IXA70I1200NA
ab € 2,779*
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 Stück
Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 375 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl...
Infineon
IGW60T120FKSA1
ab € 12,33*
pro 2 Stück
 
 Packung
Chopper IGBT Switch, 1200 V, 175 A, V1-A-Pack, Littelfuse MIXA150Q1200VA (1 Angebot) 
IGBT Modul, MIXA150Q1200VA, LITTELFUSE Der XPT-IGBT lässt sich aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Einschaltspannung leicht parallelisieren. Er verfügt über ein robustes XPT-Design (...
Littelfuse
MIXA150Q1200VA
ab € 28,86*
pro Stück
 
 Stück
MULTICOMP PRO BD241C BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220, T (1 Angebot) 
Qualifikation: - DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25 hFE Betriebstemperatur, max.: 150 °C Transistormontage: Through Hole Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 V Verlustleistung: 40 W Dauer-Kollekt...
Multicomp
BD241C
ab € 0,36793*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm (1 Angebot) 
Produktpalette: DTC143T Series MSL: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: - Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfach NP...
ROHM Semiconductor
DTC143TUAT106
ab € 0,02301*
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 Stück
IGBT, 1.2kV, 105A, SOT-227B (3 Angebote) 
Bezeichnung=IGBT, Typ=IXYN82N120C3H1, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Leckstrom=100 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=1.2 kV, Kollektor-Emitter-Sättigu...
IXYS
IXYN82N120C3H1
ab € 4,053*
pro Stück
 
 Stück
DiodesZetex ZXTN4004KTC SMD, NPN Transistor 150 V / 1 A, DPAK (TO-252) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 1 A Kollektor-Emitter-Spannung = 150 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 3,8 W Gleichstromverstärkung min. = 60 Tra...
Diodes
ZXTN4004KTC
ab € 1,33*
pro 10 Stück
 
 Packung
Chopper IGBT Switch, 1200 V, 84 A, V1-A-Pack, Littelfuse MIXA80R1200VA (1 Angebot) 
IGBT Modul, MIXA80R1200VA, LITTELFUSE Der XPT-IGBT lässt sich aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Einschaltspannung leicht parallelisieren. Er verfügt über ein robustes XPT-Design (X...
Littelfuse
MIXA80R1200VA
ab € 21,81*
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 Stück
ONSEMI BC32725TA BIPOLAR TRANSISTOR, Transistor Polarity: (4 Angebote) 
MSL: MSL 1 - Unlimited Dauer-Kollektorstrom: 800 mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Betriebstemperatur, max.: 150 °C Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Through Hole Kollektor-Emitter-Spannung...
onsemi
BC32725TA
ab € 0,0408*
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Weitere Informationen zum Thema Transistor
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Mit Transistoren Spannungen und Ströme schalten und verstärken

Überall dort, wo elektrische Signale geschaltet oder verstärkt werden sollen, kommt der Transistor zum Einsatz. Transistoren gibt es für nahezu unendlich viele verschiedene Einsatzzwecke. Unterschieden wird zwischen Leistungstransistoren zum Schalten von relativ hohen elektrischen Spannungen und Strömen sowie Kleinsignaltransistoren, welche hauptsächlich zum Verstärken von äußerst geringen elektrischen Signalen dienen. Sowohl Kleinsignaltransistoren als auch Leistungstransistoren können je nach Bauart in der Lage sein, hochfrequente Signale zu verstärken.

Der Bipolartransistor ist universell einsetzbar: NPN- und PNP- Modelle

Der am häufigsten eingesetzte Transistor ist der sogenannte Bipolartransistor. Von diesen Transistoren gibt es im Wesentlichen zwei Sorten: den NPN- und den PNP-Transistor. Ein NPN-Transistor kommt überall dort zum Einsatz, wo die Steuersignale aus positiven Ladungen bestehen. Soll der Transistor hingegen mit negativen Steuersignalen angesteuert werden, wird der PNP-Transistor eingesetzt. Der Arbeitsstrom eines solchen Transistors fließt über die Anschlüsse Kollektor und Emitter. Die Ansteuerung des Transistors erfolgt über den Anschluss Basis.

Unterschiedliche Gesichter, gleiche Funktionen – Gehäuseformen der Bauteile

Transistoren werden in unterschiedlichen Gehäuseformen hergestellt. So verwenden beispielsweise Kleinsignaltransistoren häufig das sogenannte TO-92-Gehäuse, während Leistungstransistoren meistens die Gehäuseform TO-220 besitzen. Transistoren für extrem hohe Kollektor-Emitter-Spannungen und -ströme werden sehr häufig in der Gehäusebauform TO-3 hergestellt.

Nicht der Strom, sondern die Spannung ist entscheidend - der Feldeffekttransistor

Eine besondere Form der Transistoren stellen sogenannte Feldeffekttransistoren, kurz FET, dar. Diese Transistorart unterscheidet sich von bipolaren Transistoren dadurch, dass sie nicht durch einen Strom, sondern durch eine Spannung angesteuert wird. Der Eingang des Feldeffekttransistors ist im Gegensatz zu den meisten anderen Transistoren hochohmig. Feldeffekttransistoren besitzen die Anschlüsse Source und Drain für den Arbeitsstrom sowie den Anschluss Gate für die Ansteuerung.

Klein aber fein: SMD-Transistoren

Wegen seiner platzsparenden Bauart wird heute immer häufiger der SMD-Transistor eingesetzt. Auch dieser ist in unterschiedlichen Gehäuseformen erhältlich, die mit den Buchstaben SOT beginnen. Auch von diesen Bauteilen gibt es sowohl NPN- als auch PNP-Transistoren mit unterschiedlichen maximalen Schaltspannungen und -strömen.

Ins richtige Licht gesetzt: der Fototransistor

Eine besondere Bauart vom Transistor ist der sogenannte Fototransistor. Dieser Transistor besitzt keinen Basisanschluss, sondern er wird über die Menge einfallenden Lichts angesteuert. Häufig wird der Fototransistor für Lichtschranken verwendet. Er besitzt eine lichtempfindliche Fläche und sein Arbeitsstrom ändert sich proportional zur Menge einfallenden Lichts.

Bitte beachten Sie!

  • Die Auswahl des richtigen Transistors hängt natürlich vom entsprechenden Einsatzzweck ab. Hierbei spielen mehrere Faktoren eine Rolle.
  • Der wichtigste Faktor ist die verwendete Betriebsspannung sowie die zu verstärkende oder zu schaltende Leistung.
  • Bei der Auswahl des richtigen Transistors sollte daher vor allem auf die entsprechende Kollektor-Emitter-Spannung geachtet werden.
  • Beim Kauf von Leistungstransistoren sollte gleich der richtige Kühlkörper mitbestellt werden, damit das Bauteil während des Betriebs nicht überhitzt.

Ähnlichkeitssuche: FACT®Finder von Omikron
* Preise mit Sternchen sind Nettopreise zzgl. gesetzlich gültiger MwSt.
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